Офис
+7 (812) 740-62-04
г. Санкт-Петербург, ул. Цветочная,
д. 25, лит. Ж, БЦ ДЕСТИОН, оф. 202
Склад
+7 (812) 646-10-46 доб. 4301
г. Санкт-Петербург, Витебский пр.,
д. 11, лит. С, 4 подъезд, 2 этаж, пом. 2017
M2U1010V
M2U1010V
Стоимостьпо запросу
Запросить образец
Описание

LDMOS FET транзистор

Производитель: Innogration Technologies

Технические характеристики
Полоса частот до 1000MHz
Мощность 100W
Коэффициент усиления 22.6 dB
Напряжение питания 50V
Тип корпуса PKG-GXB
Показывать на главной странице Нет

Вернуться к списку